手機芯片龍頭高通射頻器件轉換制程：CMOS轉向砷化鎵
OFweek電子工程網(wǎng)訊 全球手機芯片龍頭高通（Qualcomm）布局功率放大器（PA）等射頻（RF）元件策略轉向，擬由現(xiàn)行委由臺積電代工的互補式金屬氧化物半導體（CMOS）制程，轉為砷化鎵制程，宏捷科、穩(wěn)懋等代工廠有機會受惠，對臺積電影響則待觀察。
高通2014年推出自家的射頻元件方案“RF360”，是采用半導體CMOS制程的PA，具低成本優(yōu)點，且由臺積電以八寸廠制造，再搭配自家手機芯片出貨，與其他PA制造商Skyworks、Avago、RFMD等PA供應商采用砷化鎵（GaAs）制程不同。
不過，高通日前甫宣布與日系零組件大廠TDK合資，擬在新加坡設立新公司“RF360 Holdings Singapore”，其中TDK旗下從事射頻模組業(yè)務的子公司EPCOS，會將部分業(yè)務分拆出來成立“RF360”，代表高通對RF元件布局將有改變， 成為日前法說會焦點之一。
高通執(zhí)行長莫倫科夫（Steve Mollenkopf）回應時表示，與TDK合作推出的“gallium arsenide PAs”（即砷化鎵PA）將于2017年生產(chǎn)，這是一個比較合適的時間點，屆時會再尋找合適的應用市場。
法人認為，以莫倫科夫說法來看，代表高通旗下RF元件采用的PA制程，將由現(xiàn)行CMOS轉向砷化鎵，在這個架構下，未來勢必還要調(diào)整代工廠，由目前的臺積電轉至穩(wěn)懋、宏捷科這類的砷化鎵代工廠。
由于高通計劃在2017年推出新的砷化鎵PA，市場預期，今年會開始尋找合適代工廠，最快年底就會有樣品，明年就能上市。
在智慧型手機轉進第四代行動通訊（4G）時代，使用PA顆數(shù)至少七至八顆，比3G手機多出一到兩顆，加上這兩年4G手機數(shù)量呈跳躍式成長，帶動一波RF元件動能。
相較高通推出自家PA等RF元件，競爭對手聯(lián)發(fā)科則是采合作方式，在手機公板上認證Skyworks、Avago、RFMD及陸廠Vanchip的元件，避免周邊零組件供應出現(xiàn)長短腳現(xiàn)象。
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